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我國(guó)創(chuàng)“多重鰭高電晶體” 晶片多塞2千萬(wàn)顆還更省電
Data time：2013-12-11 10:21:40 Click：
半導(dǎo)體界的戰(zhàn)爭(zhēng)日新月異，製程也逐漸從傳統(tǒng)平面式轉(zhuǎn)為立體。繼國(guó)際大廠推出彎曲式「鰭式場(chǎng)效電晶體」后，國(guó)研院也選在3日發(fā)表領(lǐng)先全球的製程技術(shù)，做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」，大幅提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
國(guó)研院研發(fā)出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。
奈米元件實(shí)驗(yàn)室表示，「鰭式場(chǎng)效電晶體」(FinFET) 因?yàn)樾螤钣腥玺~鰭而得名，除了體積小較為省電，還可擴(kuò)充晶片上可容納的電子元件密度，并讓不同大小的電流「各住適合的房型」，達(dá)到晶片空間利用的最佳化，藉此提升運(yùn)作效能。
國(guó)研院指出，半導(dǎo)體積體電路的製造，可說(shuō)是一場(chǎng)尺寸微縮與效能提升的競(jìng)賽，半導(dǎo)體元件最先進(jìn)的製程技術(shù)，約可在1平方公分的硅晶片上，容納約1億顆電晶體;「鰭式場(chǎng)效電晶體」技術(shù)一旦推出，不只讓設(shè)計(jì)更具彈性，還可在同樣面積增加約2千萬(wàn)顆電晶體，等于節(jié)省了兩成的製作成本。
國(guó)研院還說(shuō)，此技術(shù)已經(jīng)申請(qǐng)專利，且自12月起，將為國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)界開放製作平臺(tái)，方便其研發(fā)各種元件雛型與製程技術(shù)，讓學(xué)術(shù)前瞻研究與產(chǎn)業(yè)接軌;預(yù)估在5年內(nèi)，就能協(xié)助業(yè)界量產(chǎn)「多重鰭高的鰭式場(chǎng)效電晶體」
